國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體芯片一直都無(wú)法成為半導(dǎo)體芯片的有力競(jìng)爭(zhēng)者，龐大的進(jìn)口芯片卻成為了國(guó)外企業(yè)賺錢(qián)的有力途徑，但在精密的芯片生產(chǎn)行業(yè)來(lái)看，中國(guó)依然有著不小的差距，沒(méi)有技術(shù)與設(shè)備的支持，很難做到真正的國(guó)產(chǎn)。

生產(chǎn)半導(dǎo)體芯片必然需要使用超純水設(shè)備，一臺(tái)對(duì)水質(zhì)凈化比較好的設(shè)備能增加制造出來(lái)產(chǎn)品的穩(wěn)定性，不單單性能優(yōu)越，而且耐用性和殘次率也大大的降低，這將是為企業(yè)生產(chǎn)成本降低的有效手段。

隨著5G市場(chǎng)的突破，國(guó)人實(shí)現(xiàn)在信息行業(yè)的曲線(xiàn)超車(chē)，雖然一時(shí)間還是很難取得國(guó)際上大多數(shù)國(guó)家的支持，卻也成為了實(shí)現(xiàn)一小部分的成功，這將是一個(gè)好的開(kāi)端。國(guó)內(nèi)的芯片制造工藝已經(jīng)贏得了國(guó)際的認(rèn)可，所以三星在華增投中國(guó)芯片工廠(chǎng)情理之中的事情。在半導(dǎo)體行業(yè)的生產(chǎn)過(guò)程中，使用超純水對(duì)生產(chǎn)芯片進(jìn)行去污早就是行業(yè)中公認(rèn)的方式。隨著生產(chǎn)芯片的存儲(chǔ)數(shù)值的增加，對(duì)于去污水要求也在逐漸增加，特別對(duì)水質(zhì)中金屬離子的含量要求也在不斷的增加，其中在16M的DRAM器件生產(chǎn)過(guò)程，對(duì)于去污超純水中NA、K、CL、Cu、Fe、Zn、Cr、Mn等微量元素的的要求更低，這就對(duì)使用的超純水設(shè)備工藝以及耗材更換品質(zhì)要求極高。

半導(dǎo)體行業(yè)超純水生產(chǎn)工藝：
 

預(yù)處理-加酸中和-反滲透-中間水箱-中間水泵-EDI裝置-純化水箱-純水泵-紫外燈-臭氧殺菌-用水點(diǎn)

在半導(dǎo)體行業(yè)的超純水生產(chǎn)過(guò)程中，除了常規(guī)的水質(zhì)凈化工藝外，增加了酸中和使水質(zhì)偏堿處理，這樣能使水質(zhì)更符合反滲透膜的處理要求，增加反滲透膜的使用時(shí)間，降低更換成本。除了使用常規(guī)的紫外燈殺菌外，另增加的臭氧殺菌能高效的去處水中一些難纏的微生物與細(xì)菌對(duì)半導(dǎo)體電子生產(chǎn)的影響。

半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備特點(diǎn)：
 

1、整體化程度高、易于擴(kuò)展、增加膜數(shù)量即可增加處理量。
 

2、自動(dòng)化程度高，遇故障立即自停，具有自動(dòng)保護(hù)功能。
 

3、膜組件為復(fù)合膜卷制而成，表現(xiàn)出更高的溶質(zhì)分離率和透過(guò)速率。

4、能耗低、水利用率高、運(yùn)行成本低。
 

滲源半導(dǎo)體行業(yè)用超純水設(shè)備性能設(shè)計(jì)中，能夠連續(xù)穩(wěn)定的制備品質(zhì)優(yōu)良的超純水，除去了之前因?yàn)闃?shù)脂再生而停止生產(chǎn)線(xiàn)運(yùn)行，使用EDI電除鹽能有效的降低水中的金屬離子，超純水裝置結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)相對(duì)靠緊，占地面積小，可以為企業(yè)節(jié)省很多空間。

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